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光學指標：
中心波長：505nm /-2nm （可根據客戶要求定制）
帶寬: 10nm （可根據客戶要求定制）
透過率：≥70% （可根據客戶要求定制）
截止范圍：350-1100nm （可根據客戶要求定制）
截止深度：OD5 （可根據客戶要求定制）
蒸發鍍膜
通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜。這種方法較早由M.法拉第于1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。蒸發鍍膜設備結構如圖1。
蒸發物質如金屬、化合物等置于坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定于蒸發源的蒸發速率和時間（或決定于裝料量），并與源和基片的距離有關。對于大面積鍍膜，常采用旋轉基片或多蒸發源的方式以膜層厚度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.2電子伏。
噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當它被加熱到一定溫度時，爐中元素以束狀分子流射向基片?；患訜岬揭欢囟龋练e在基片上的分子可以徙動，按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的化合物單晶膜，薄膜慢生長速度可控制在1單層/秒。通過控制擋板,可地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用于制造各種光集成器件和各種超晶格結構薄膜。
