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BFR520 參數
類別：NPN-硅通用高頻低噪聲寬帶NPN晶體管
集電極-發射極電壓VCEO：15V
集電極-基極電壓VCBO:20V
發射極-基極電壓VEBO:2.5V
集電極直流電流IC:120mA
總耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
工作結溫Tj:150℃
貯存溫度Tstg:-65~150℃
封裝形式：SOT-23
功率特性：中功率
極性：NPN型
結構：擴散型
材料：硅(Si)
封裝材料：塑料封裝
電性能參數（TA=25℃）：
擊穿電壓:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2.5V
直流放大系數hFE: 40～250 @VCE=8V,IC=40mA
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(較大值)
發射極-基極截止電流IEBO:100nA(較大值)
特征頻率fT:9.0GHz@ VCE=8V,IC=40mA
集電極允許電流IC：0.12（A）
集電極較大允許耗散功率PT：0.5（W）
功率增益GUM：14dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
噪聲系數NF：1.3dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
插入功率增益∣S21∣：13dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
反饋電容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。
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