名片曝光使用說明

步驟1:創(chuàng)建名片

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N溝道 MOSFET STFW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3引腳 TO-3PF封裝

產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 MDmesh?,800V/1500V

 

MOSFET 晶體管

產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)

 

通道類型    N    

連續(xù)漏極電流    2.5 A    

漏源電壓    1500 V    

源電阻值    9 Ω    

柵閾值電壓    5V    

閾值電壓    3V    

柵源電壓    -30 V、+30 V    

封裝類型    TO-3PF    

安裝類型    通孔    

晶體管配置    單    

引腳數(shù)目    3    

通道模式    增強(qiáng)    

類別    功率 MOSFET    功率耗散    63 W    

晶體管材料    Si    

典型接通延遲時(shí)間    24 ns    

最低工作溫度    -55 °C    

典型柵極電荷@Vgs    29.3 nC @ 10 V    

典型輸入電容值@Vds    939 pF@ 50 V    

典型關(guān)斷延遲時(shí)間    45 ns    

每片芯片元件數(shù)目    1    

寬度    5.7mm    

高度    26.7mm    

最高工作溫度    +150 °C    

系列    MDmesh    

長度    15.7mm    

尺寸    15.7 x 5.7 x 26.7mm    

 



產(chǎn)品推薦
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