目前開關電源技術呈飛速發展趨勢，市場的需求急劇增大，急需更多的技術人才。在加強開關電源技術的學習中，首先要對電源基本的結構有所了解，我們所說的基本機構也就是開關電源的拓撲結構。在如今的網絡上也有各種層出不窮的對于開關電源結構的知識，但大多說的都比較含糊籠統。我們沃爾根據多年的研發經驗及各種資料簡單總結了一下電源的拓撲結構，希望能給大家帶來一定的幫助。開關電源拓撲結構按照輸出與輸入可以分為非隔離式變換器電路和隔離式變換器電路。開關電源幾種電路拓撲如下：降壓型（Buck）變換器、升壓型（Boost）變換器、極性反轉升降壓（Buck—Boost）變換器、Cuk變換器單端正、反激式變換器、推挽變換器、半橋、全橋變換器。如上我們只是簡單說明了開關電源的拓撲結構，隨著目前市場的快速發展，雖然開關電源技術已經很好很強大，但還是存在著一些問題。在多多了解基礎技術后，我們沃爾開關電源生產廠家希望有很多的有志之士跟我們一起創造更好的開關電源產品。一、初級MOS的電壓應力初級MOS的電壓應力一般是由三個方面組成:即是三個數值的疊加。1.母線上電壓峰值（一般是初級濾波電容上的電壓峰值）；2.是次級的反射電壓（即是MOS截止時由于電磁感應，次級電壓折算到初級線圈的電壓值）；3.是由于變壓器漏感，在MOS關斷時產生的尖峰。母線上的電壓峰值：這個峰值一般是輸入電壓的峰值，對于220V市電供電的開關電源，如果考慮±20%的變化范圍，其是264V，其因是正弦波，所以峰是264x1.414=373.23v.二、次級的反射電壓這個電壓由變壓器初級圈數和次級圈數的比值決定。根據經驗，反射電壓值不要大于100V（針對600V的管子和220電網電壓）。如果這個值選的過大，可能會給MOS應力控制增加一些壓力。另外，反射電壓太高，初級線圈的吸收電阻上消耗更多的能量會增加，不利于提高電源效率。但也不要選的太小，不然占空比不能得到充分的利用。（因為反射電壓小，意味著初級圈數和次級圈數比值較大，占空比必然會小)。占空比太小，在相同功率下，會增大初級MOS電流的峰值，電流的有效值值也會增加，開關管的導通損耗和變壓器集膚效應，臨近效應引起的損耗也會增加。總之，這個反射電壓的選取，也是一個反復實驗權衡的結果。當然，如果效率不是我們關注的問題，在部件（MOS，變壓器）溫升尚可接受的前提下，我們盡量還是照顧MOS的電應力要求。尊敬的客戶，為了給您盡快設計出您滿意的開關電源，請您把您的詳細資料要求寫在開關電源樣品開發單中，傳真給我們，我們將嚴格按照您的要求設計出您所需要的開關電源產品。濟南沃爾電子有限公司的開關電源設計擁有強大的技術研發團隊和較好的開關電源研發設備、生產檢測設備，并且不斷的引入國際先進生產技術和管理方法，同時公司擁有一套完整的質量體系，公司千余種產品已通過各種安全認證，我們濟南沃爾開關電源廠家會根據市場的需求變化來滿足您的各種要求。能得到貴公司的惠顧，我們在此表示衷心的感謝和敬意！在您的信任和支持下，我們會用誠心做產品，用真心做服務，我想我們的合作之路在21世紀的征途上會越走越遠！同時恭祝貴公司的事業發展繁榮昌盛！！！