漏感尖峰由于實際變壓器都存在漏感，在MOS管關(guān)斷后，存在漏感中的能量不能傳送到次級，因此必然會尋找一個放電通道，初級的RCD吸收就是為此而設(shè)。如果沒有吸收，從理論上來說，會在MOS的D級對地形成一個無限高的尖峰（當然，實際電路都會存在分布的電容，這個尖峰不會有無限高），因此足夠的吸收是相當重要的。一般來說，增大吸收電容，減小吸收電阻，都會有效果，但還要綜合考效率，吸收電阻的體積等問題，有時侯，單從吸收電路下手并不能滿足MOS電應(yīng)力的要求。四、除了更改吸收電路外，還有其它的幾種方案可供參考：1.RCD吸收中的D（二極管),使用所謂的慢管（即慢恢復(fù)二極管），可以從一定程度上降低感應(yīng)出來的尖峰。更換D后，要重新測量D的溫升。2.由于電應(yīng)力超標一般都發(fā)生在異常狀態(tài)下，此時的占空比一般是處于失控狀態(tài)，所以此時的初級峰值電流也是比較大的。峰值電流的增大則意味著漏感中存貯的能量增大，MOS關(guān)斷時，尖峰自然也會變大。因此控制峰值電流對抑制尖峰作用是比較明顯的?？刂品逯惦娏鞯拇胧┮话阌校篴.控制異常狀態(tài)時的占容比，這對于某些芯片是可行的（如TL3842等);b.增大初級sense電阻（初級取樣電阻）值，對于電流控制型的芯片，這個方法是有效的。其機理在于芯片是感知SENSE電阻上的電壓來關(guān)斷MOS的，電阻變大則能較早關(guān)斷MOS，防止電流沖地過高。但要兼顧輸出功率要求。c.增大初級電感量，機理和b類似;d.降低MOS的關(guān)斷速度，這一般可以從MOS驅(qū)動電路上下手，但同時也應(yīng)注意MOS的發(fā)熱量。另外，在初級增加電壓初償也是一個辦法，即從初級濾波電容上引電阻到芯片的電流檢測（Isense）腳，一定上程度也可以對降低MOS尖峰有效。上述各種方案措施的實施后，一定要對開關(guān)電源的其它指標進行確認，以避免極端優(yōu)化一個參數(shù)，而引起其它參數(shù)惡化的現(xiàn)象。目前開關(guān)電源技術(shù)呈飛速發(fā)展趨勢，市場的需求急劇增大，急需更多的技術(shù)人才。在加強開關(guān)電源技術(shù)的學(xué)習(xí)中，首先要對電源基本的結(jié)構(gòu)有所了解，我們所說的基本機構(gòu)也就是開關(guān)電源的拓撲結(jié)構(gòu)。在如今的網(wǎng)絡(luò)上也有各種層出不窮的對于開關(guān)電源結(jié)構(gòu)的知識，但大多說的都比較含糊籠統(tǒng)。我們沃爾根據(jù)多年的研發(fā)經(jīng)驗及各種資料簡單總結(jié)了一下電源的拓撲結(jié)構(gòu)，希望能給大家?guī)硪欢ǖ膸椭ｉ_關(guān)電源拓撲結(jié)構(gòu)按照輸出與輸入可以分為非隔離式變換器電路和隔離式變換器電路。開關(guān)電源幾種電路拓撲如下：降壓型（Buck）變換器、升壓型（Boost）變換器、極性反轉(zhuǎn)升降壓（Buck—Boost）變換器、Cuk變換器單端正、反激式變換器、推挽變換器、半橋、全橋變換器。如上我們只是簡單說明了開關(guān)電源的拓撲結(jié)構(gòu)，隨著目前市場的快速發(fā)展，雖然開關(guān)電源技術(shù)已經(jīng)很好很強大，但還是存在著一些問題。在多多了解基礎(chǔ)技術(shù)后，我們沃爾開關(guān)電源生產(chǎn)廠家希望有很多的有志之士跟我們一起創(chuàng)造更好的開關(guān)電源產(chǎn)品。開關(guān)電源高頻化是對我們有好處還是沒有好處的呢？開關(guān)電源高頻化的缺陷有些呢？下面沃爾電子帶大家了解以下內(nèi)容：開關(guān)電源高頻化要求增大相應(yīng)的電容量，由于高頻率轉(zhuǎn)換給元件帶來的損耗大，所以要求相關(guān)配套的器件生產(chǎn)設(shè)計要跟上，例如漆料、隔離技術(shù)等。開關(guān)電源實現(xiàn)高頻化實現(xiàn)了開關(guān)電路的零電壓，提高了電子產(chǎn)品的使用性能，但高頻化只是開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的要求和過程，而不是目的，相關(guān)的技術(shù)還存在一定的缺陷，不能盲目的追求高頻化。目前高頻開關(guān)電源主要有這樣一些缺陷：隔離困難，反應(yīng)慢，損耗大，抗沖擊性差等。另外在我國對于高頻開關(guān)電源的科研工作大多限于高校，產(chǎn)、學(xué)、研脫節(jié)比較明顯。開關(guān)電源選擇沃爾電子！