開(kāi)關(guān)電源與線性電源相比，兩者的成本都跟著輸入功率的增加而增長(zhǎng)，但二者增長(zhǎng)速率各異。線性電源利潤(rùn)在某一輸入功率點(diǎn)上，反而高于開(kāi)關(guān)電源，這一點(diǎn)稱(chēng)為本錢(qián)反轉(zhuǎn)點(diǎn)。跟著電力電子武藝的發(fā)展和立異，使的開(kāi)關(guān)電源妙技也不斷的翻新，這一老本反轉(zhuǎn)點(diǎn)日益向低輸入電力端挪動(dòng)，從而為開(kāi)關(guān)電源供給了恢弘的進(jìn)行空間。開(kāi)關(guān)電源高頻化使其進(jìn)行的偏袒，高頻化使開(kāi)關(guān)電源小型化，并使開(kāi)關(guān)電源更進(jìn)入更廣泛的使用規(guī)模，分外是在高新技藝規(guī)模的應(yīng)用，推動(dòng)了高技術(shù)制造品的小型化、簡(jiǎn)煉化。另外開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展與應(yīng)用在浪費(fèi)動(dòng)力、撙節(jié)資源及愛(ài)護(hù)情況方面都具有必要的意義。開(kāi)關(guān)電源選擇沃爾電子開(kāi)關(guān)電源IGBT的手藝擱淺理論上是通態(tài)壓降，神速開(kāi)關(guān)和高耐壓伎倆三者的折衷。跟著功底和構(gòu)造模式的不同，IGBT在20年歷史發(fā)展進(jìn)程中，有以下幾種類(lèi)型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、軟穿通（SPT）型、溝漕型與電場(chǎng)遏制（FS）型。碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的志向材料，其益處是：禁帶寬、任務(wù)溫度高（可達(dá)600℃）、熱強(qiáng)項(xiàng)性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、泄電流極小、PN結(jié)耐壓高等，無(wú)利于制作出耐高溫的高頻大功率半導(dǎo)體電子元器件。購(gòu)買(mǎi)開(kāi)關(guān)電源、適配器選擇濟(jì)南沃爾電子開(kāi)關(guān)電源興起與八十年代，隨著高頻化和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的開(kāi)發(fā)研究，開(kāi)關(guān)電源逐漸向著性能更好、重量更輕、尺寸更小的方向發(fā)展。同時(shí)高頻化和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)是過(guò)去20年國(guó)際電力電子界研究的熱點(diǎn)之一。在未來(lái)五年甚至十年開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展趨勢(shì)是么樣的，開(kāi)關(guān)電源的前景又是么樣？低輸出電壓技術(shù)。隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷發(fā)展，微處理器和便攜式電子設(shè)備的工作越來(lái)越低，這就要求未來(lái)的DC-DC變換器能夠提供低輸出電壓以適應(yīng)微處理器和便攜式電子設(shè)備的供電要求。開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展從來(lái)都是與半導(dǎo)體器件及磁性元件等的發(fā)展休戚相關(guān)，高頻化的實(shí)現(xiàn)，需要相應(yīng)的高速半導(dǎo)體器件和性能優(yōu)良的高頻電磁元件。發(fā)展電力MOSFET、IGBT等新型高速器件，開(kāi)發(fā)高頻用的低損磁性材料，改進(jìn)磁元件的結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)方法，提高濾波電容的介電常數(shù)及降低其等效串聯(lián)電阻等方面的工作，對(duì)于開(kāi)關(guān)電源小型化始終產(chǎn)生著巨大的推動(dòng)作用。