直流屏電源現貨促銷 肇慶直流屏電源 鋰電池的保護功能通常由保護電路板和PTC等電流器件協同完成，保護板是由電子電路組成，在-40℃至 85℃的環境下時刻準確的監視電芯的電壓和充放回路的電流，及時控制電流回路的通斷；PTC在高溫環境下防止電池發生惡劣的損壞。 普通鋰電池保護板通常包括控制IC、MOS開關、電阻、電容及輔助器件FUSE、PTC、NTC、ID、存儲器等。其中控制IC，在一切正常的情況下控制MOS開關導通，使電芯與外電路導通，而當電芯電壓或回路電流超過規定值時，它立刻控制MOS開關關斷，保護電芯的安全。 在保護板正常的情況下，Vdd為高電平，Vss,VM為低電平，DO、CO為高電平，當Vdd,Vss,VM任何一項參數變換時，DO或CO端的電平將發生變化。 1、過充電檢出電壓：在通常狀態下，Vdd逐漸提升至CO端由高電平變為低電平時VDD-VSS間電壓。 2、過充電解除電壓：在充電狀態下，Vdd逐漸降低至CO端由低電平變為高電平時VDD-VSS間電壓。 3、過放電檢出電壓：通常狀態下，Vdd逐漸降低至DO端由高電平變為低電平時VDD-VSS間電壓。 4、過放電解除電壓：在過放電狀態下，Vdd逐漸上升到DO端由低電平變為高電平時VDD-VSS間電壓。 5、過電流1檢出電壓：在通常狀態下，VM逐漸升至DO由高電平變為低電平時VM-VSS間電壓。 6、過電流2檢出電壓：在通常狀態下，VM從OV起以1ms以上4ms以下的速度升到DO端由高電平變為低電平時VM-VSS間電壓。 7、負載短路檢出電壓：在通常狀態下，VM以OV起以1μS以上50μS以下的速度升至DO端由高電平變為低電平時VM-VSS間電壓。 8、充電器檢出電壓：在過放電狀態下，VM以OV逐漸下降至DO由低電平變為變為高電平時VM-VSS間電壓。 9、通常工作時消耗電流：在通常狀態下，流以VDD端子的電流（IDD）即為通常工作時消耗電流。 10、過放電消耗電流：在放電狀態下，流經VDD端子的電流（IDD）即為過流放電消耗電流。 IC負責監測電池電壓與回路電流，并控制兩個MOSFET的柵極，MOSFET在電路中起開關作用，分別控 制著充電回路與放電回路的導通與關斷，C2為延時電容，該電路具有過充電保護、過放電保護、過電流保 直流屏電源現貨促銷 護與短路保護功能，其工作原理分析如下： 1、正常狀態 在正常狀態下電路中N1的“CO”與“DO”腳都輸出高電壓，兩個MOSFET都處于導通狀態，電池可以自由地進行充電和放電，由于MOSFET的導通阻抗很小，通常小于30毫歐，因此其導通電阻對電路的性能影響很小。 此狀態下保護電路的消耗電流為μA級，通常小于7μA。 2、過充電保護 鋰離子電池要求的充電方式為恒流/恒壓，在充電初期，為恒流充電，隨著充電過程，電壓會上升到4.2V(根據正極材料不同，有的電池要求恒壓值為4.1V)，轉為恒壓充電，直至電流越來越小。 電池在被充電過程中，如果充電器電路失去控制，會使電池電壓超過4.2V后繼續恒流充電，此時電池電壓仍會繼續上升，當電池電壓被充電至超過4.3V時，電池的化學副反應將加劇，會導致電池損壞或出現安全問題。 在帶有保護電路的電池中，當控制IC檢測到電池電壓達到4.28V（該值由控制IC決定，不同的IC有不同的值）時，其“CO”腳將由高電壓轉變為零電壓，使T1由導通轉為關斷，從而切斷了充電回路，使充電器無法再對電池進行充電，起到過充電保護作用。而此時由于T1自帶的體二極管VD1的存在，電池可以通過該二極管對外部負載進行放電。 在控制IC檢測到電池電壓超過4.28V至發出關斷T1信號之間，還有一段延時時間，該延時時間的長短由C2決定，通常設為1秒左右，以避免因干擾而造成誤判斷。 3、過放電保護 電池在對外部負載放電過程中，其電壓會隨著放電過程逐漸降低，當電池電壓降至2.5V時，其容量已被完全放光，此時如果讓電池繼續對負載放電，將造成電池的性損壞。 在電池放電過程中，當控制IC檢測到電池電壓低于2.3V（該值由控制IC決定，不同的IC有不同的值）時，其“DO”腳將由高電壓轉變為零電壓，使T2由導通轉為關斷，從而切斷了放電回路，使電池無法再對負載進行放電，起到過放電保護作用。而此時由于T2自帶的體二極管VD2的存在，充電器可以通過該二極管對電池進行充電。 由于在過放電保護狀態下電池電壓不能再降低，因此要求保護電路的消耗電流極小，此時控制IC會進入低功耗狀態，整個保護電路耗電會小于0.1μA。在控制IC檢測到電池電壓低于2.3V至發出關斷T2信號之間，也有一段延時時間，該延時時間的長短由C2決定，通常設為100毫秒左右，以避免因干擾而造成誤判斷。 4、過電流保護 由于鋰離子電池的化學特性，電池生產廠家規定了其放電電流大不能超過2C（C=電池容量/小時），當電池超過2C電流放電時，將會導致電池的性損壞或出現安全問題。 電池在對負載正常放電過程中，放電電流在經過串聯的2個MOSFET時，由于MOSFET的導通阻抗，會在其兩端產生一個電壓，該電壓值U=I*RDS*2,RDS為單個MOSFET導通阻抗，控制IC上的“V-”腳對該電壓值進行檢測，若負載因某種原因導致異常，使回路電流增大，當回路電流大到使U